Epitaxie auf III/V-Halbleitern
Projektleitung und Mitarbeiter
Goepel, W. (Prof. Dr. rer. nat.), Pfau,
A. (Dipl. Phys.), Schmeisser, D. (Dr. rer. nat.), Wiemhoefer,
H.-D. (Doz. Dr. rer. nat.), gemeinsam mit: Weiss, W. (Dr. rer. nat.,
Lawrence Berkeley Lab., Univ. of California, Berkeley, USA)
Forschungsbericht :
1990-1992
Tel./ Fax.:
Projektbeschreibung
Das epitaktische Wachstum von CaF2- und SrF2-Schichten auf InP(001) soll
spektroskopisch und elektrisch untersucht werden. Von besonderem
Interesse ist dabei das Studium des Einflusses der Substrat-Geometrie
und Stoechiometrie auf das Wachstum sowie das Studium der
elektronischen und geometrischen Eigenschaften der Schichten,
insbesondere an der Halbleiter-Isolator Grenzflaeche. Die
geometrischen Strukturen werden mit LEED und Rastertunnelmikroskopie,
die elektronische Struktur mit Photoemissionsspektroskopie
untersucht. Die elektrischen Eigenschaften werden mit C-V-Messungen
untersucht. Ziel ist es, die spektroskopischen mit den elektrischen
Messungen zu korrelieren.
Mittelgeber
Drittmittelfinanzierung: DFG
Publikationen
Weiss, W.,
Wiemhoefer, H.-D., Goepel, W.: The role of ionic defects at
semiconductor/insulator interfaces. - Phys. Rev. B45, 8478 (1992).
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- Stand: 15.09.96
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